לחומר היעד יש שוק רחב, מגוון שימושים שימושיים ועתיד מבטיח. בואו נעבור עבורכם במהירות על דרישות הביצועים העיקריות של חומר היעד כדי שתוכלו להבין טוב יותר את הביצועים של החומר. אני מאוד מקווה שזה יהיה שימושי עבורך.
טוהר: מכיוון שלטוהר המטרה יש השפעה משמעותית על הביצועים של הסרט, טוהר הוא אחד ממדדי הביצועים העיקריים של המטרה. קריטריוני הטוהר של חומר היעד שונים ביישומים מעשיים, אם כי. לדוגמה, גודל הסיליקון פרוסות גדלו מ-6 אינץ', 8 אינץ' ל-12 אינץ' עקב ההתרחבות המהירה של תעשיית המיקרו-אלקטרוניקה, ורוחב החיווט ירד מ-0.5um ל-0.25um, 0 .18um, או אפילו 0.13um, בעבר 99. טוהר יעד של 995% יכול לעמוד בדרישות של הליך 0.35umIC, בעוד ש-99 נדרש להכנת 0.18um line.99.9999% או אפילו 999%.
תכולת זיהומים: מקורות הזיהום העיקריים של הסרט המופקד הם זיהומים במוצק המטרה וחמצן ואדי מים בנקבוביות. מטרות מגוונות מסיבות שונות דורשות תכולת זיהומים מגוונת. למשל, למגזר המוליכים למחצה יש תקנים ספציפיים לריכוז של יסודות רדיואקטיביים ומתכות אלקליות במטרות העשויות מאלומיניום וסגסוגות אלומיניום טהורות.
צפיפות: חומר היעד נדרש בדרך כלל להיות בעל צפיפות גבוהה יותר על מנת להקטין את הנקבוביות במוצק ולהגביר את הפונקציונליות של הסרט המקרטע. המאפיינים החשמליים והאופטיים של הסרט מושפעים גם מצפיפות חומר המטרה, בנוסף לקצב הקפיצה. הביצועים של הסרט גדלים עם צפיפות המטרה. יכולתו של חומר המטרה לשרוד את עומס החום במהלך תהליך הקפיצה משתפרת גם על ידי הגדלת הצפיפות והחוזק שלו. אחד ממדדי הביצועים העיקריים של המטרה היא צפיפות.
